Photoluminescence相关论文
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
利用固相反应法制备Zn0.9Co0.1O三维体材料,在不同的烧结温度下,应用单因素实验法对相同的配比成分样品进行处理,并对样品进行性能......
利用分子束外延技术(MBE)，在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发......
为了解决光学检测中金纳米棒荧光发射强度微弱的问题,通过连续激光照射,加强了金纳米棒局域表面等离子体共振效应,实现了对团聚金......
Strong Influence of Temperature and Vacuum on the Photoluminescence of In0.3Ga0.7As Buried and Surfa
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InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时，垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构，电子能谱表明SiC纳......
采用溶胶-凝胶法制备了Lu2Si2O7∶Ce纳米晶, 利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪、X射线激发发射谱仪对制备的Lu2Si2O......
研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示,光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大,然而,以z方向偏振光激......
采用高温固相法制备了一系列样品Y2.95－xDyxAl5O12:Ce3 0.05(x＝0，0.59，1.18，1.77，2.36，2.95)。用X射线粉末衍射法测量了Y3Al5O12:Ce3 组成......
Equilateral triangle semiconductor microcavities with tensile-strained InGaAsP multi-quantum-well as the active region a......
In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnOSi (111) templates are r......
采用高温固相反应法制备了Dy3 掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9（CBTO）荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射（XRD）分析、扫描电镜（SEM）测......
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了多孔硅在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明多孔硅具......
用高温熔融二次热处理法,制备了钠铝硼硅酸盐PbSe量子点玻璃及量子点光纤。光纤中量子点的尺寸为4.73 nm±0.25 nm,吸收和辐射峰分......
通过甘氨酸燃烧法制备了Yb3 /Li 共掺的Y2O3纳米颗粒，研究了940 nm半导体激光器激发下的Yb3 1 μm附近的光致发光光谱，结果表明1 μ......
通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况......
采用高温固相法制备了ZnMoO4∶Tb3 绿色荧光粉,对样品进行了X射线衍射(XRD)和荧光光谱测定。XRD结果表明,样品在800℃时能得到单一......
为进一步探索量子剪裁荧光材料在提高太阳能电池效率方面的应用前景，通过光致荧光光谱研究了YAG:Ce3 -Yb3 荧光粉的光谱转换性质。......
采用标准光荧光方法,在不加入探针或荧光、磷光染料的情况下,测量了具有56个和29个碱基的两种核酸单链样品的光致发光特性;该方法......
采用共沉淀法成功制备了新型黄绿色荧光粉Ca1-xWO4xPr3 (摩尔分数x=0.1%, 0.3%, 0.5%, 0.7%)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)......
在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在......
We have fabricated a light emitting diode using a p-type conducting polyaniline layer deposited on a n-type porous silic......
采用高温固相反应法制备了Ba1.97Ca1-x(B3O6)2∶Eu2 , Mn2 x(x=0, 0.03, 0.06, 0.15)荧光粉, 研究了其相组成与荧光特性. 结果表明......
制备了导光波带位于近红外1400~1650 nm的硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)。测量了QD-PCF对980 nm抽运光和1550 nm信号......
通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱，研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验......
用脉冲激光制备纳米硅的过程中，在Purcell腔中会形成等离子体晶格结构，这是等离子体激元与光子相互作用的结果，其形成的等离子体晶格......
采用固相法以Li2SO4作助熔剂制备了Yb3 :Y3NbO7多晶，通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合确定了其结构，研究了它的吸收和光致发光。......
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为了研究ZnO的光学特性随溶液浓度变化的规律，采用水热法在低温条件下合成了具有六方纤锌矿结构的纳米ZnO材料。分别对样品的形貌、......
采用水热法合成了Eu3 单掺YF3荧光粉。分析了样品的结构与形貌，结果表明，所合成的样品为单相，颗粒粒度分布均匀。测定了YF3:Eu3 的激......
研究了高真空蒸发技术制备的C60薄膜在温度自127 K至室温范围的时间分辨荧光光谱,在127 K时,C60薄膜的荧光峰处于730 nm,且其时间......
By using n-butylamine as carbon resource, diamond-like carbon film (DLCF) was deposited on the p-n porous silicon (PS) s......
Experimental investigation of photoluminescence spectra of Yb^(3 ) sensitized Er^(3 )-doped glass sa
Fabrication technology of the Yb^(3 ):Er^(3 ) co-doped glass samples is introduced. Photoluminescence (PL) characteristi......
采用高温固相法成功制备出荧光粉Ca4LaNbMo4O20∶Pr3 ，通过X射线衍射分析了样品的结构，其结构与CaMoO4结构相似。在Ca4LaNbMo4O20∶P......
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体, 测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光......
光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO2薄膜形成钝化层来提高CdSe/......
用硝酸铽与3,5-吡啶二甲酸、邻菲罗啉在水热条件下进行反应, 合成了配合物［Tb(3,5-pdc)(3,5-Hpdc)(H2O)(phen)］n(3,5-H2pdc =3,5-吡......
利用785 nm波长激光作为激发源，测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯......
采用高温固相法与溶胶凝胶法分别合成了不同Ti含量的Baghdadite矿物发光材料Ca3(Zr,Ti)Si2O9。相对于传统的高温固相法，溶胶凝胶法......
利用电子束蒸镀在石英玻璃上制备出Ga掺杂的SnO2(SnO2∶Ga)薄膜。结合X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计和......
采用两步法成功合成了单一基质双光色Ba10-x(PO4)4(SiO4)2∶xEu2 荧光粉, 研究了稀土离子占据不同的晶格格位对荧光粉光谱特性的影......
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品, 将样品置于弱还原气氛中高温退火后, 观察到薄膜样品在488, 544, 5......
用直流磁控溅射法在190 ℃玻璃基底上制备了氧化铟锡（ITO）薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下IT......
利用吸收光谱和光致发光（PL）光谱研究了氢化物气相外延（HVPE）法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时，P......
We investigated the plasmon-exciton interactions in an individual gold nanorod (GNR) with monolayer MoS2 at room tempera......
The compound N,N’-di-5H-pyrido-[3＇,2＇:4,5]cyclopenta[1,2-b]pyridin-5-ylidenebiphenyl-4,4＇-diamine,formulated as C34H20N6,w......
